想問一個問題,不知版主們是否知道 |
尚未結案
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jason dan
一般會員 ![]() ![]() 發表:25 回覆:31 積分:11 註冊:2005-05-17 發送簡訊給我 |
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版主 ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() 發表:261 回覆:2302 積分:1667 註冊:2005-01-04 發送簡訊給我 |
由汲極空乏區產生的電荷或高電場撞擊游離效應產生的電荷會累積在中性的基板區域和汲極源極形成寄生的雙極性電晶體BJT, 當浮動基板所累積的電荷造成基板電位提升時,元件的臨界電壓會隨著基板電壓的上升而下降,這就是熟知的基板效應(Body Effect).... 如有謬誤,歡迎指正
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------------------------------------------------------------------------- 走是為了到另一境界,停是為了欣賞人生;未走過千山萬水,怎知生命的虛實與輕重!? |
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版主 ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() 發表:261 回覆:2302 積分:1667 註冊:2005-01-04 發送簡訊給我 |
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Smile_Lin
一般會員 ![]() ![]() 發表:12 回覆:5 積分:3 註冊:2005-07-31 發送簡訊給我 |
Body effect : MOS正常工作時 , 必須保持基體(call Body or substrate)
對通道的逆向偏壓 , 因為[B端對S端的逆偏電壓]大小 , 而對
[通道有效厚度]的調變效應 , 就叫做Body effect 這在所有單載子為通道的所有MOS都會產生的現象 .
由下圖為一般NMOS FET剖面圖 :
綠色部分就是一般二極體n側的空乏區厚度
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